耗盡型與增強型的主要區別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時有導電溝道存在，而增強型MOS管只有在開啟后，才會出現導電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負電壓控制導通，而增強型MOS管必須使得VGS>VGS（th）（柵極閾值電壓）才行
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件
二極管框架工藝產品直接用自動化切筋成型，5個產品一次成型。打扁工藝產品需經引線打扁、再切筋，每次50個成型；由于每一臺打扁模具不可能完全一致，每臺未必每次能夠打到根部，給切筋帶來困難，容易造成打裂本體、引腳歪斜不對稱、引腳寬度不一致等等，甚至容易造成內部芯片損傷，導致漏電流偏大或正向阻抗偏大
